大功率MOS管

场效应管10n60参数

字号+ 作者:刘程13242610001 来源:深圳振邦微科技 2017-03-14 12:06 我要评论( )

振邦微科技提供:场效应管10n60,场效应管10n60参数,10n60场效应管参数,10n60场效应管用途,欢迎索取10n60场效应管样品.

场效应管10n60参数:

原创新设计
卓越的雪崩坚固技术
稳健的栅极氧化物技术非常低的本征电容
良好的开关特性
无与伦比的栅极电荷:9.0 nC(典型值)
扩展的安全工作区
较低的RDS(ON):4.0Ω(典型值)@ VGS = 10V
100%雪崩测试
场效应管10n60参数
注释;
1.重复等级:脉冲宽度受最大结温限制
2. L = 68mH,IAS = 2.0A,VDD = 50V,RG =25Ω,启动TJ = 25°C
3.ISD≤2.0A,di /dt≤300A/μs,VDD≤BVDSS,启动TJ = 25°C
4.脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%
5.基本上与工作温度无关

转载请注明出处。

1.本站遵循行业规范,任何转载的稿件都会明确标注作者和来源;2.本站的原创文章,请转载时务必注明文章作者和来源,不尊重原创的行为我们将追究责任;3.作者投稿可能会经我们编辑修改或补充。

相关文章
网友点评