升压模块电路图（升压模块电路图纸）

淘宝中3.7v升5v 升压电路图

故一般常用3～5V作为工作电压，为保证电路工作的稳定性及精度，要求采用稳压电源供电。若电路采用5V工作电压，但另需一个较高的工作电压，这往往使设计者为难。本文介绍一种采用两块升压模块组成的电路可解决这一难题，并且只要两节电池供电。

该电路的特点是外围元件少、尺寸小、重量轻、输出+5V、+12V都是稳定的，满足便携式电子产品的要求。+5V电源可输出60mA，+12V电源最大输出电流为5mA。

        该电路如上图所示。它由AH805升压模块及FP106升压模块组成。AH805是一种输入1.2～3V，输出5V的升压模块，在3V供电时可输出100mA电流。FP106是贴片式升压模块，输入4～6V，输出固定电压为29±1V，输出电流可达40mA，AH805及FP106都是一个电平控制的关闭电源控制端。

两节1.5V碱性电池输出的3V电压输入AH805，AH805输出+5V电压，其一路作5V输出，另一路输入FP106使其产生28～30V电压，经稳压管稳压后输出+12V电压。

从图中可以看出，只要改变稳压管的稳压值，即可获得不同的输出电压，使用十分灵活。FP106的第⑤脚为控制电源关闭端，在关闭电源时，耗电几乎为零，当第⑤脚加高电平2.5V时，电源导通；当第⑤脚加低电平0.4V时，电源被关闭。可以用电路来控制或手动控制，若不需控制时，第⑤脚与第⑧脚连接。

如何制作最简易的升压模块。

自制升压电路的方法如下：

1、准备所需材料如下：

VT 可以选择 9013 等管子，如需电流大，可以选择功率更大的管；

R 普通100欧的电阻；

D1 普通的1N4148； 

C 普通电解电容 ；

变压器T ，这个是关键，用高导磁率的磁环绕制，可以在废旧的镇流器，电脑电源拆取，L1 使用漆包线绕10匝，在6匝处抽头，将L1分成L1a（m匝）和L1b（n匝）两段，且nm，具体匝数根据升压要求来确定。L2用同样的线绕10匝左右，漆包线也可用绝缘的铜芯线。

2、将上述材料按照如下方式连接即可。

自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管，自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。

使用mc34063为核心设计升压电路，将12V转24V。

使用mc34063为核心设计升压电路将12V转24V。

1.输入12V电压到mc34063的V+，加上滤波电容，以及R6,R8组成的运放模块组成的输入端。

2.NPN管做电路通断作用，输出端是斩波电路的设计，达到升压的效果。

3.L2的作用是平波电抗器，用来稳流，D1二极管的作用是防止电流倒灌。

5.开关管选用1n5819或1n5822的高速开关管，可以提高转换效率。

6.r6最小不能小于0.2欧，且是不能省略的，用于芯片内电流检测。

7.在要求高时，在芯片的第6脚加一个滤波电容效果更好。

8.芯片的开关频率最高为100khz，通过芯片的第3脚接的电容来调节，典型值为1500pf。

9.电感l2=100uh为典型值，增大能减小输出电压的波汶。

参考设计电路图如下：

扩展资料：

1.boost升压电路是六种基本斩波电路之一，是一种开关直流升压电路，它可以使输出电压比输入电压高。主要应用于直流电动机传动、单相功率因数校正（PFC）电路及其他交直流电源中。

2.尽可能降低开关管导通时回路的阻抗，使电能尽可能多转化为磁能。

3.尽可能降低控制电路的消耗，因为对于转换来说，控制电路的消耗某种意义上是浪费掉的，不能转化为负载上的能量。

参考资料：中国知网-基于MC34063的BOOST电路设计与实现

求 直流升压电路原理图

图所示是一种输出电压可边22.5V的直流升压器电路,可用来代替22.5V的直流电池.它利用万用表中的一节1.5V电池供电工作电流为25mA输出电流约为0.5mA,用于万用表的高阻挡足够富裕.电路中TR1与TR2组成互补多谐振荡器,它的振荡频约为2KHz.T是升压变压器初级就是线补多谐振荡器的负载,次级为升压输出一个较高

请问怎么用三极管将3V电压升到5v求电路图，

用IODO稳压IC升压模块电路图，型号11173.3V升压模块电路图，1脚接地，2脚输出，3脚输入，输出最少需接10微法电容。实用的3V转5V电路图，采用升压模块电路图了升压模块，如图所示：

扩展资料：

电子三极管Triode（俗称电子管的一种）。

双极型晶体管 BJT（BipolarJunctionTransistor）。

J型场效应管 JunctiongateFET（FieldEffectTransistor）。

金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(MetalOxideSemi-ConductorFieldEffectTransistor)英文全称。

V型槽场效应管VMOS（VerticalMetalOxideSemiconductor）。

注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管、V型槽沟道场效应管是单极（Unipolar）结构的，是和双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（UnipolarJunctionTransistor）。

参考资料来源：百度百科-三极管

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